Výrobca Číslo produktu:
SPB21N10 G
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
SPB21N10 G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventár:
12808471
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SPB21N10 G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 44µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
865 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO263-3-2
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
SPB21N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP000102171
SPB21N10GXT
SPB21N10 G-DG
SPB21N10G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB30NF10T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
971
ČÍSLO DIELU
STB30NF10T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.66
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF540SPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2846
ČÍSLO DIELU
IRF540SPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.90
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
